场效应管（FET）作为一种重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。其性能的评估依赖于一系列关键参数，如栅极电容、导通电阻等。小编将详细介绍场效应管的参数及其对照表，帮助读者更好地理解和应用这些器件。
场效应管（FET）是一种电压控制型电子器件，通过栅极电压控制漏极电流。与双极型晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、开关速度快等优点。
栅极电容是指场效应管栅极与源极之间的电容，它影响着场效应管的开关速度和频率响应。
导通电阻（Rds(on)）是指场效应管在导通状态下漏极与源极之间的电阻，该参数越小，场效应管的效率越高。
驱动电压是指场效应管的漏极与源极之间的电压差，该电压决定了场效应管的导通与截止。
阈值电压是指场效应管悬浮增益区开始导通的初始电压，即漏极电流开始显著增大的电压。
驱动电压是场效应管工作时的关键参数，不同型号的场效应管其驱动电压可能有所不同。
阈值电压是判断场效应管是否导通的重要依据，通常情况下，阈值电压越低，场效应管越容易导通。
K2645是一款耐压600V、电流9A、功率50W的场效应管，适用于高电压、大电流的应用场景。
K2141是一款耐压600V、电流6A、功率35W的场效应管，其参数与K2645相比有所降低。
K3326是一款耐压500V、电流10A、功率40W的场效应管，适用于中等电压、大电流的应用场景。
K1388是一款耐压30V、电流35A、功率60W的场效应管，适用于低电压、大电流的应用场景。
K1101是一款耐压450V、电流10A、功率50W的场效应管，适用于低中电压、大电流的应用场景。
每一个场效应管都提供有三个电极：Gate（栅极）、Source（源极）、Drain（漏极）。N沟道场效应管的电源输入为D（漏极），输出为S（源极）；沟道场效应管的电源输入为S（源极），输出为D（漏极）。
漏源极电压是指场效应管漏极与源极之间的最大电压值，与结温有关，通常结温越高，该值越大。
优值系数是MOSFET的单位面积导通电阻和开关速度的综合指标，是衡量MOSFET性能的重要参数。
场效应管的参数是评估其性能的重要指标，通过对这些参数的了解和掌握，可以帮助我们更好地选择和应用场效应管。在设计和使用场效应管时，应根据实际需求选择合适的型号和参数，以确保电路的正常工作和可靠性。
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